Plaquette d'entrée de 6 pouces
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Plaquette d'entrée de 6 pouces

Plaquette d'entrée de 6 pouces

Présentation de notre produit semi-conducteur phare : la plaquette de phosphure d'indium (InP:Fe). Ce produit est une plaquette SI InP:Fe [100] 6-pouce d'une épaisseur de 680 ±3 microns et d'une surface polie sur une seule face (P/P). Elle présente une résistivité allant de 0,9E7 à 1,6E7 Ω·cm et répond aux normes SEMI.

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Présentation du produit
Présentation du produit

 

Présentation de notre produit semi-conducteur phare : la plaquette de phosphure d'indium (InP:Fe). Ce produit est une plaquette SI InP:Fe [100] 6-pouce d'une épaisseur de 680 ±3 microns et d'une surface polie sur une seule face (P/P). Elle présente une résistivité comprise entre 0,9E7 et 1,6E7 Ω·cm et répond aux normes SEMI. Fabriquée selon la méthode de congélation à gradient vertical (VGF), cette structure cristalline de haute qualité est parfaitement adaptée à la croissance épitaxiale, comme en témoigne son encoche standard SEMI.
Le phosphure d'indium est un matériau semi-conducteur composé exceptionnel connu pour sa grande mobilité électronique, son excellente résistance aux radiations et sa conductivité thermique efficace. Ces propriétés le rendent exceptionnellement efficace dans la fabrication de dispositifs micro-ondes et de circuits intégrés à haute fréquence, haute vitesse et haute puissance. De plus, le phosphure d'indium trouve de nombreuses applications dans l'éclairage à semi-conducteurs, les communications micro-ondes, les communications par fibre optique, les cellules solaires et les systèmes de navigation et de satellites civils et militaires. Nos produits au phosphure d'indium sont destinés à fournir une base solide pour vos applications technologiques de pointe, améliorant l'innovation et l'efficacité.

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FAQ

 

Q : À quoi sert l'InP ?

R : Le phosphure d'indium est principalement utilisé dans la fabrication d'appareils électroniques à grande vitesse et de composants optoélectroniques, tels que les systèmes de communication à fibre optique à grande vitesse, les cellules solaires et divers types de lasers. Ces applications exploitent les capacités de transmission de signaux à grande vitesse de l'InP et son excellente efficacité de conversion photoélectrique. La capacité de l'InP à gérer les hautes fréquences et à convertir efficacement les signaux électriques en signaux optiques (et vice versa) en fait un matériau privilégié pour les technologies de pointe dans les télécommunications et les énergies renouvelables.

Q : Quelle est la molécule d'InP ?

R : La molécule d'InP est constituée d'un atome d'indium et d'un atome de phosphore. Ce composé présente un degré élevé de symétrie cristalline, ce qui contribue à ses propriétés électroniques et optiques exceptionnelles dans les applications de semi-conducteurs. La structure moléculaire de l'InP lui permet de créer une bande interdite directe, ce qui est très bénéfique pour les dispositifs émettant de la lumière, tels que les LED et les diodes laser, leur conférant une efficacité élevée et des capacités opérationnelles rapides.

 

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