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Substrat Sic

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Présentation du produit

Les substrats en carbure de silicium (SiC) sont fabriqués à partir d'un matériau très pur qui combine silicium et carbone. Le processus de production commence par une technique à haute température appelée transport physique de vapeur (PVT). Dans ce processus, la poudre de silicium et de carbone se transforme en vapeur, puis refroidit pour former un grand cristal appelé boule.
La boule est ensuite découpée en fines tranches appelées wafers et polies pour les rendre lisses et réfléchissantes. Cette production minutieuse garantit que chaque substrat SiC peut supporter des températures élevées, conduit bien l'électricité et est très solide. Ces caractéristiques sont idéales pour une utilisation dans l'électronique qui doit fonctionner dans des conditions difficiles, comme dans les appareils électriques, les capteurs qui fonctionnent à des températures élevées et les systèmes utilisés dans des environnements difficiles. Les substrats en carbure de silicium contribuent à rendre les appareils électroniques plus efficaces, durables et puissants.

FAQ

Q : Quelle est la différence entre les plaquettes Si et SiC ?

R : La principale différence entre les plaquettes de silicium (Si) et les plaquettes de carbure de silicium (SiC) réside dans le matériau. Le silicium est un élément pur, tandis que le carbure de silicium est un composé de silicium et de carbone. Les plaquettes de SiC sont plus performantes en termes de résistance à la chaleur, de tolérance à la pression et de mobilité des électrons, ce qui les rend adaptées aux applications plus exigeantes.

Q : Quels sont les paramètres de réseau du 6H-SiC ?

A : Le 6H-SiC possède un système cristallin hexagonal avec des constantes de réseau d'environ 3,081 Å (a) et 15,117 Å (c). Sa structure cristalline unique lui confère d'excellentes propriétés physiques et chimiques, largement utilisées dans les semi-conducteurs hautes performances.

Q : Que signifie SiC dans les semi-conducteurs ?

R : Dans les semi-conducteurs, le SiC est apprécié pour ses propriétés supérieures, telles qu'une conductivité thermique élevée, une mobilité électronique élevée et une résistance élevée à la chaleur. Ces caractéristiques font du SiC un matériau idéal pour la fabrication d'appareils électroniques efficaces et durables qui peuvent fonctionner dans des conditions extrêmes, comme ceux utilisés dans les véhicules électriques et la technologie spatiale.

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Plaquette de silicium 6H

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