Plaquettes de silicium FZ
Les plaquettes de silicium FZ sont fabriquées à l'aide du procédé Float Zone, ce qui permet d'obtenir une pureté extrêmement élevée et des performances électriques supérieures.
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Présentation du produit
Plaquettes de silicium FZ
Nos plaquettes de silicium FZ sont méticuleusementfabriqué selon le procédé Float Zone, fournissant un modèle cristallin-sans contamination qui dépasse les limites des matériaux traditionnels cultivés en creuset-. En éliminant le contact avec les creusets de quartz pendant la croissance, ces substrats atteignentpureté extrêmement élevée, caractérisé par des concentrations ultra-d'oxygène et de carbone. Cette propreté au niveau atomique-est l'exigence fondamentale pour les appareils qui exigent une tension de claquage élevée et un minimum de défauts induits thermiquement.
Performances électriques supérieures dans des régimes-de puissance élevée :Le processus FZ-basé sur le vide permet d'obtenir un gradient de résistivité radiale presque-parfait, offrant ainsiperformances électriques supérieurespour les applications à courant élevé-. Cette homogénéité garantit une mobilité stable des porteurs et un contrôle précis de la résistivité de la couche de base, faisant de ces plaquettes la référence en matière de fabrication.IGBT, thyristors et MOSFET de puissance haute tension-.
Durée de vie sans compromis des transporteurs minoritaires :En raison de l'absence de complexes liés à l'oxygène-et d'impuretés métalliques, nos plaquettes FZ offrent une durée de vie des porteurs minoritaires exceptionnellement longue. Cela conduit à une réduction significative des pertes de commutation et des courants de fuite, améliorant ainsi l'efficacité énergétique globale et la stabilité thermique des modules électroniques de puissance-avancés.
Résilience thermomécanique pour FEOL avancé :Optimisé pour les séquences intensives de-extrémité-de-lignes, le matériau FZ maintient son intégrité structurelle pendant la diffusion à haute-température et le recuit à long-cycle. Sa perfection supérieure de réseau empêche la formation de lignes de glissement-et la micro-déformation, fournissant ainsi un substrat robuste et fiable pour les lignes de semi-conducteurs industriels et automobiles les plus exigeantes.
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