Plaquette de silicium hautement dopée
Nos plaquettes de silicium hautement dopées sont conçues pour les applications nécessitant une faible résistivité et une conductivité électrique améliorée. En introduisant une concentration élevée d'éléments dopants tels que le bore (type P) ou le phosphore (type N), ces tranches atteignent une résistivité considérablement réduite, ce qui les rend idéales pour les composants électroniques avancés, les dispositifs de puissance et les circuits hautes performances.
- Livraison rapide
- Assurance qualité
- Service client 24h/24 et 7j/7
Présentation du produit
Présentation du produit
Nos plaquettes de silicium hautement dopées sont conçues pour les applications nécessitant une faible résistivité et une conductivité électrique améliorée. En introduisant une concentration élevée d'éléments dopants tels que le bore (type P) ou le phosphore (type N), ces tranches atteignent une résistivité considérablement réduite, ce qui les rend idéales pour les composants électroniques avancés, les dispositifs de puissance et les circuits hautes performances.
Principales fonctionnalités
|
Faible résistivité |
Nos plaquettes hautement dopées offrent une résistivité extrêmement faible, en fonction de la concentration en dopant, allant généralement de {{0}},001 ohm-cm à 0,1 ohm-cm pour les applications de type P et de type N. |
|
Types de dopants |
• Type P : Bore (pour les porteurs de charge positive) • Type N : Phosphore, Arsenic, Antimoine (pour les porteurs de charge négative) |
|
Orientation des cristaux |
<100>, <111>, <110>(orientations personnalisées disponibles) |
|
Diamètres disponibles |
2 pouces, 4 pouces, 6 pouces, 8 pouces, 12 pouces |
|
Niveaux de qualité |
Premier / Test / Factice |
|
Méthodes de croissance |
CZ (Czochralski) / FZ (zone flottante) |
|
Options d'épaisseur |
275 μm, 380 μm, 525 μm, 625 μm, avec épaisseurs personnalisées disponibles |
|
Finitions de surface |
P/E (Poli/Gravé), P/P (Poli/Poli), E/E (Gravé/Gravé) |
|
Variation d'épaisseur totale (TTV) |
Norme < 10 μm ; Avancé < 5 μm |
|
Arc/chaîne |
Norme < 40 μm ; Avancé < 20 μm |
étiquette à chaud: plaquette de silicium hautement dopée, Chine fabricants de plaquettes de silicium hautement dopées, fournisseurs, usine
