Substrats d'épitaxie de silicium

Substrats d'épitaxie de silicium

Ces substrats d'épitaxie de silicium sont minutieusementconçu pour la croissance de couches épitaxiales, servant de modèle cristallin-de haute pureté pour l'intégration avancée des dispositifs Power and Logic. Conçus à l'aide de séquences de traction de précision Czochralski (CZ) et de polissage ultra-propres, nos substrats garantissent un environnement de surface sans compromis. Cette fluidité au niveau atomique-est la condition fondamentale pour obtenir des dépôts homoépitaxiaux et hétéroépitaxiaux de haute-qualité dans la prochaine génération de semi-conducteurs.

Surface optimisée pour un dépôt-de haute qualité :Lesurface contrôlée et orientation des cristauxsont optimisés pour fournir un environnement de nucléation idéal. En régissant strictement leAngle de coupe-(désorientation) avec une précision au millième de degré, nous facilitons un mécanisme de croissance de flux par étapes. Cela minimise les discordances de réseau et empêche la formation de défauts d'empilement et de luxations de filetage, ce qui est essentiel pour stabiliser les caractéristiques électriques de la couche épi- suivante.

Résistivité contrôlée pour l'isolation des appareils :Spécialement conçus pour les applications Power IC et analogiques, ces substrats offrentpropriétés matérielles stablesavec un profil de dopant très uniforme. Cela permet un contrôle précis de l'interface substrat-à-épi, améliorant ainsi l'isolation des appareils et réduisant la capacité parasite dans les environnements à haute-fréquence et haute-tension.

Résilience thermique de haute-pureté :Chaque substrat est régi par des tolérances rigides en matière d'oxygène interstitiel et d'impuretés métalliques afin d'éviter l'auto-dopage et la déformation induite thermiquement. Sa résistance mécanique supérieureprend en charge plusieurs étapes de traitement avec une variation minimale, en maintenant la fidélité géométrique pendant les cycles de CVD (Chemical Vapor Deposition) et de traitement thermique rapide (RTP) à haute température.

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