Couche de plaquette de silicium

Couche de plaquette de silicium

Nos couches de tranches de silicium-de qualité semi-conductrice sont méticuleusement conçues pour faciliter la fabrication hautement contrôlée de dispositifs dans l'ensemble2 pouces à 12 pouces (50 mm - 300 mm)spectre industriel. Conçues avec une précision de surface au niveau atomique-, ces couches fonctionnelles servent d'hôte à haute-intégrité pour les applications les plus exigeantes.Dépôt de films minces CVD/PVDet des architectures multi-multi-portes complexes.

Avantages techniques différenciés :

Uniformité géométrique inférieure au-micron :Au-delà du simple contrôle de l'épaisseur, nos couches sont vérifiées pourVariation d'épaisseur totale (TTV) et planéité locale (SFQR). Cette uniformité élimine la dérive de mise au point dans la photolithographie à haute-résolution, garantissant ainsi que les opérations précises restent cohérentes du centre de la plaquette jusqu'au bord extrême.

Comportement prévisible du réseau :En maintenant un seuil strict pour l'oxygène et le carbone interstitiels, notre matériau empêcheprécipitations thermiques et glissement du réseaupendant le recuit volatile sous vide élevé-et l'implantation d'ions. Ce comportement prévisible est essentiel pour maintenir des profils électriques stables dansCircuit intégré de puissance (IGBT/MOSFET)production.

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